Nuova elettronica

Nexperia è entrata nel mercato dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) con una gamma di dispositivi da 600 V, a partire dal NGW30T60M3DF da 30 A.

Aggiungendo gli IGBT al suo ampio portafoglio, Nexperia sta cercando di soddisfare la domanda di dispositivi di commutazione efficienti e ad alta tensione con una gamma di requisiti di prestazioni e costi. Questi consentono una maggiore densità di potenza nelle applicazioni di conversione di potenza e di azionamento di motori, compresi azionamenti di motori industriali come servomotori da 5 a 20 kW (20 kHz), robotica, ascensori, pinze operative, produzione in linea, inverter di potenza, gruppi di continuità ( UPS), stringhe fotovoltaiche (PV), ricarica di veicoli elettrici, riscaldamento e saldatura a induzione.

Sebbene l’IGBT sia una tecnologia relativamente matura, si prevede che il mercato di questi dispositivi crescerà in linea con la maggiore adozione di pannelli solari e caricabatterie per veicoli elettrici (EV).

Gli IGBT da 600 V di Nexperia sono caratterizzati da una struttura avanzata con arresto di campo (FS) trench-gate, robusta ed economica, che fornisce prestazioni di conduzione e perdita di commutazione eccezionalmente basse con elevati livelli di robustezza a temperature di esercizio fino a 175°C. Ciò migliora l'efficienza e l'affidabilità di inverter di potenza, riscaldatori a induzione, apparecchiature di saldatura e applicazioni industriali come azionamenti e servomotori, robotica, ascensori, pinze operative e produzione in linea.

I progettisti possono scegliere tra gli IGBT della serie a media velocità (M3) e ad alta velocità (H3). Questi IGBT sono stati progettati con distribuzioni dei parametri molto strette, consentendo a più dispositivi di connettersi in sicurezza in parallelo. Inoltre, una resistenza termica inferiore rispetto ai dispositivi concorrenti consente loro di fornire una potenza di uscita maggiore. Questi IGBT sono inoltre classificati come diodi a recupero inverso morbido e veloce. Ciò significa che sono adatti per applicazioni con raddrizzatori e circuiti bidirezionali o per la protezione da condizioni di sovracorrente.

Questi IGBT sono disponibili in un contenitore standard TO247-3L senza piombo e sono qualificati HV-H3TRB per applicazioni esterne. Nexperia prevede di far seguire a questa versione una serie di IGBT da 1200 V.